Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной плавки.
Технические характеристики |
|
Геометрические размеры выращиваемых монокристаллов:
– длина для Мо, Nb, W, Та, не менее; – диаметр для Мо, Nb; – диаметр для W, Та |
800 мм от 10 до 30 мм |
Нагреватель (катодный узел) | электронно-лучевой нагреватель с нитью накала (катодом) кольцевого типа |
Установленная мощность системы БЗП |
80 кВт |
Электропитание установки |
380/220 В, 50 Гц |
Среда в плавильной камере установки |
Вакуум, 5∙10-6 мм рт.ст. |
Точность поддержания скорости перемещения штоков |
± 0,5 % |
Осевые перемещения и вращения верхнего и нижнего штоков |
независимые |
Точность поддержания скорости вращения верхнего и нижнего штоков |
± 0,5 % |
Отклонение от соосности верхнего и нижнего штоков |
± 0,5 мм |
Габаритные размеры установки:
высота: ширина: длина: |
4500 мм 2500 мм 3500 мм |
Масса |
4000 кг |
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %. Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
Эффективное управление производством начинается на уровне цеха. Оптимизировать цеховое производство помогают специализированные системы автоматизации инженерной деятельности.