Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной плавки.
|
Технические характеристики |
|
| Геометрические размеры выращиваемых монокристаллов:
– длина для Мо, Nb, W, Та, не менее; – диаметр для Мо, Nb; – диаметр для W, Та |
800 мм от 10 до 30 мм |
| Нагреватель (катодный узел) | электронно-лучевой нагреватель с нитью накала (катодом) кольцевого типа |
| Установленная мощность системы БЗП |
80 кВт |
| Электропитание установки |
380/220 В, 50 Гц |
| Среда в плавильной камере установки |
Вакуум, 5∙10-6 мм рт.ст. |
| Точность поддержания скорости перемещения штоков |
± 0,5 % |
| Осевые перемещения и вращения верхнего и нижнего штоков |
независимые |
| Точность поддержания скорости вращения верхнего и нижнего штоков |
± 0,5 % |
| Отклонение от соосности верхнего и нижнего штоков |
± 0,5 мм |
| Габаритные размеры установки:
высота: ширина: длина: |
4500 мм 2500 мм 3500 мм |
| Масса |
4000 кг |
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.
Эффективное управление производством начинается на уровне цеха. Оптимизировать цеховое производство помогают специализированные системы автоматизации инженерной деятельности.
Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг. Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.