Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг.
Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
После модернизации теплового узла, мы получили возможность управлять формой фронта кристаллизации растущего кристалла. В определенные периоды роста кристалла появилась возможность изменять теплоотвод от стойки.
Благодаря управляемому фронту кристаллизации можно получать практически бездефектные кристаллы. Используя наше обновленное программное обеспечение, в котором все операции во время роста кристалла максимально автоматизированы, мы добились стабильных высоких результатов.
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного