Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг.
Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
После модернизации теплового узла, мы получили возможность управлять формой фронта кристаллизации растущего кристалла. В определенные периоды роста кристалла появилась возможность изменять теплоотвод от стойки.
Благодаря управляемому фронту кристаллизации можно получать практически бездефектные кристаллы. Используя наше обновленное программное обеспечение, в котором все операции во время роста кристалла максимально автоматизированы, мы добились стабильных высоких результатов.
Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
Из металлических гранул методом 3D печати или же газостатического прессования получают детали для нужд медицины (импланты, медицинскую проволоку, хирургические инструменты), для авиации (диски, валы, корпуса, изделия сложной формы.)