Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг.
Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
После модернизации теплового узла, мы получили возможность управлять формой фронта кристаллизации растущего кристалла. В определенные периоды роста кристалла появилась возможность изменять теплоотвод от стойки.
Благодаря управляемому фронту кристаллизации можно получать практически бездефектные кристаллы. Используя наше обновленное программное обеспечение, в котором все операции во время роста кристалла максимально автоматизированы, мы добились стабильных высоких результатов.
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %. Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного