Диоксид кремния (кварц)
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.
Диоксид кремния используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния.
Характеристики получаемого порошка диоксида кремния:
| Содержание примесей, массовая доля в ppm |
Маркировка образца |
|
|
Образец №1 |
Образец №2 |
|
| Al |
<0,1 |
0,1 |
| B |
0,04 |
0,03 |
| Ba |
0,2 |
0,2 |
| Ca |
0,1 |
0,1 |
| Co |
0,01 |
<0,01 |
| Cr |
0,01 |
0,04 |
| Cu |
<0,01 |
0,03 |
| Fe |
<0,1 |
<0,1 |
| K |
<0,1 |
<0,1 |
| Li |
0,2 |
0,3 |
| Mg |
<0,1 |
<0,1 |
| Mn |
<0,01 |
<0,01 |
| Na |
<0,1 |
<0,1 |
| Ni |
<0,01 |
<0,01 |
| Sr |
<0,01 |
<0,01 |
| Ti |
<0,1 |
<0,1 |
НПК Спектр предлагает промышленное оборудование для синтеза высокочистого кварцевого концентрата.
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Установка обогащения кварцевых концентратов
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %. Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
-
Установка очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов типа БЗП
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
-
Поликристаллический порошок карбида кремния
Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.