Диоксид кремния (кварц)
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.
Диоксид кремния используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния.
Характеристики получаемого порошка диоксида кремния:
| Содержание примесей, массовая доля в ppm |
Маркировка образца |
|
|
Образец №1 |
Образец №2 |
|
| Al |
<0,1 |
0,1 |
| B |
0,04 |
0,03 |
| Ba |
0,2 |
0,2 |
| Ca |
0,1 |
0,1 |
| Co |
0,01 |
<0,01 |
| Cr |
0,01 |
0,04 |
| Cu |
<0,01 |
0,03 |
| Fe |
<0,1 |
<0,1 |
| K |
<0,1 |
<0,1 |
| Li |
0,2 |
0,3 |
| Mg |
<0,1 |
<0,1 |
| Mn |
<0,01 |
<0,01 |
| Na |
<0,1 |
<0,1 |
| Ni |
<0,01 |
<0,01 |
| Sr |
<0,01 |
<0,01 |
| Ti |
<0,1 |
<0,1 |
НПК Спектр предлагает промышленное оборудование для синтеза высокочистого кварцевого концентрата.
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Установка для роста монокристаллов карбида кремния диаметром 4 или 6 дюймов
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного
-
Системы управления для технологических процессов выращивания монокристаллов сапфира
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
-
Фтороводородная кислота
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).