Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.

Диоксид кремния используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния.
Характеристики получаемого порошка диоксида кремния:
| Содержание примесей, массовая доля в ppm |
Маркировка образца |
|
|
Образец №1 |
Образец №2 |
|
| Al |
<0,1 |
0,1 |
| B |
0,04 |
0,03 |
| Ba |
0,2 |
0,2 |
| Ca |
0,1 |
0,1 |
| Co |
0,01 |
<0,01 |
| Cr |
0,01 |
0,04 |
| Cu |
<0,01 |
0,03 |
| Fe |
<0,1 |
<0,1 |
| K |
<0,1 |
<0,1 |
| Li |
0,2 |
0,3 |
| Mg |
<0,1 |
<0,1 |
| Mn |
<0,01 |
<0,01 |
| Na |
<0,1 |
<0,1 |
| Ni |
<0,01 |
<0,01 |
| Sr |
<0,01 |
<0,01 |
| Ti |
<0,1 |
<0,1 |
НПК Спектр предлагает промышленное оборудование для синтеза высокочистого кварцевого концентрата.
Из металлических гранул методом 3D печати или же газостатического прессования получают детали для нужд медицины (импланты, медицинскую проволоку, хирургические инструменты), для авиации (диски, валы, корпуса, изделия сложной формы.)
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %. Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).