Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.
Диоксид кремния используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния.
Характеристики получаемого порошка диоксида кремния:
Содержание примесей, массовая доля в ppm |
Маркировка образца |
|
Образец №1 |
Образец №2 |
|
Al |
<0,1 |
0,1 |
B |
0,04 |
0,03 |
Ba |
0,2 |
0,2 |
Ca |
0,1 |
0,1 |
Co |
0,01 |
<0,01 |
Cr |
0,01 |
0,04 |
Cu |
<0,01 |
0,03 |
Fe |
<0,1 |
<0,1 |
K |
<0,1 |
<0,1 |
Li |
0,2 |
0,3 |
Mg |
<0,1 |
<0,1 |
Mn |
<0,01 |
<0,01 |
Na |
<0,1 |
<0,1 |
Ni |
<0,01 |
<0,01 |
Sr |
<0,01 |
<0,01 |
Ti |
<0,1 |
<0,1 |
НПК Спектр предлагает промышленное оборудование для синтеза высокочистого кварцевого концентрата.
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного
Эффективное управление производством начинается на уровне цеха. Оптимизировать цеховое производство помогают специализированные системы автоматизации инженерной деятельности.