Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
Мы предлагаем не только ростовые установки, но и сырье для проведения процессов роста, а именно поликристаллический порошок карбида кремния со следующими характеристиками:
|
Маркировка образца
|
Массовая доля примесей, не более ppm: |
|||
|
B |
Al | Ti |
V |
|
| S190328027 |
0.16 |
1.6 | 2.1 |
0.38 |
*примесный состав определялся методом GDMS (масс-спектрометрия с тлеющим разрядом).

** фазовый состав синтезированного продукта определялся методом Х-лучевой дифрактометрии.
Комплекс технологического оборудования, разработанного НПК Спектр, позволяет осуществлять синтез поликристаллического карбида кремния из высокочистого кварца и высокочистого углерода (графита). В состав оборудования входят установки для получения кварца, для получения графита, для синтеза порошка и для последующего его отжига (удаления избыточного углерода).
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).