Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
Мы предлагаем не только ростовые установки, но и сырье для проведения процессов роста, а именно поликристаллический порошок карбида кремния со следующими характеристиками:
Маркировка образца
|
Массовая доля примесей, не более ppm: |
|||
B |
Al | Ti |
V |
|
S190328027 |
0.16 |
1.6 | 2.1 |
0.38 |
*примесный состав определялся методом GDMS (масс-спектрометрия с тлеющим разрядом).
** фазовый состав синтезированного продукта определялся методом Х-лучевой дифрактометрии.
Комплекс технологического оборудования, разработанного НПК Спектр, позволяет осуществлять синтез поликристаллического карбида кремния из высокочистого кварца и высокочистого углерода (графита). В состав оборудования входят установки для получения кварца, для получения графита, для синтеза порошка и для последующего его отжига (удаления избыточного углерода).
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).
Эффективное управление производством начинается на уровне цеха. Оптимизировать цеховое производство помогают специализированные системы автоматизации инженерной деятельности.
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.