Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
Мы предлагаем не только ростовые установки, но и сырье для проведения процессов роста, а именно поликристаллический порошок карбида кремния со следующими характеристиками:
Маркировка образца
|
Массовая доля примесей, не более ppm: |
|||
B |
Al | Ti |
V |
|
S190328027 |
0.16 |
1.6 | 2.1 |
0.38 |
*примесный состав определялся методом GDMS (масс-спектрометрия с тлеющим разрядом).
** фазовый состав синтезированного продукта определялся методом Х-лучевой дифрактометрии.
Комплекс технологического оборудования, разработанного НПК Спектр, позволяет осуществлять синтез поликристаллического карбида кремния из высокочистого кварца и высокочистого углерода (графита). В состав оборудования входят установки для получения кварца, для получения графита, для синтеза порошка и для последующего его отжига (удаления избыточного углерода).
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
Эффективное управление производством начинается на уровне цеха. Оптимизировать цеховое производство помогают специализированные системы автоматизации инженерной деятельности.
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного