Поликристаллический порошок карбида кремния
Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
Мы предлагаем не только ростовые установки, но и сырье для проведения процессов роста, а именно поликристаллический порошок карбида кремния со следующими характеристиками:
|
Маркировка образца
|
Массовая доля примесей, не более ppm: |
|||
|
B |
Al | Ti |
V |
|
| S190328027 |
0.16 |
1.6 | 2.1 |
0.38 |
*примесный состав определялся методом GDMS (масс-спектрометрия с тлеющим разрядом).
** фазовый состав синтезированного продукта определялся методом Х-лучевой дифрактометрии.
Комплекс технологического оборудования, разработанного НПК Спектр, позволяет осуществлять синтез поликристаллического карбида кремния из высокочистого кварца и высокочистого углерода (графита). В состав оборудования входят установки для получения кварца, для получения графита, для синтеза порошка и для последующего его отжига (удаления избыточного углерода).
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Установка для роста монокристаллов карбида кремния диаметром 4 или 6 дюймов
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного
-
Системы управления для технологических процессов выращивания монокристаллов сапфира
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
-
Установка очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов типа БЗП
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной