Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %.
Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
Принцип работы установки основывается на обработке кварцевой крупки парами кремнефтористой кислоты H2SiF6, поступающей из испарителя (реактора с нагревателями) и последующим осаждением паров и кристаллизации чистой фракции SiO2 на холодной поверхности.
Размеры | |
Ширина, мм | 2260 |
Глубина, мм | 1600 |
Высота, мм | 2400 |
Максимальная занимаемая площадь (в том числе зона обслуживания), м2 | 4 |
Электрические параметры | |
Максимальная потребляемая мощность, кВА | 5 |
Номинальное напряжение питающей сети, В | 380 |
Номинальная частота, Гц | 50(60) |
Число фаз линии электропередач | 2 |
Максимальное напряжение на нагревателе, В | 20 |
Максимальный допустимый ток на нагревателе, А | 250 |
Параметры получаемого кварца |
|
Чистота получаемой кварцевой крупки, ppm | 5 |
Размеры получаемой кварцевой крупки, мкм | 1-5 |
Производительность установки, кг/сутки | 10 |
Параметры загружаемого сырья | |
Фракционный состав, мкм | 100-400 |
Содержание примесей, ppm | 200 |
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).