Установка обогащения кварцевых концентратов
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %.
Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
Принцип работы установки основывается на обработке кварцевой крупки парами кремнефтористой кислоты H2SiF6, поступающей из испарителя (реактора с нагревателями) и последующим осаждением паров и кристаллизации чистой фракции SiO2 на холодной поверхности.
| Размеры | |
| Ширина, мм | 2260 |
| Глубина, мм | 1600 |
| Высота, мм | 2400 |
| Максимальная занимаемая площадь (в том числе зона обслуживания), м2 | 4 |
| Электрические параметры | |
| Максимальная потребляемая мощность, кВА | 5 |
| Номинальное напряжение питающей сети, В | 380 |
| Номинальная частота, Гц | 50(60) |
| Число фаз линии электропередач | 2 |
| Максимальное напряжение на нагревателе, В | 20 |
| Максимальный допустимый ток на нагревателе, А | 250 |
|
Параметры получаемого кварца |
|
| Чистота получаемой кварцевой крупки, ppm | 5 |
| Размеры получаемой кварцевой крупки, мкм | 1-5 |
| Производительность установки, кг/сутки | 10 |
| Параметры загружаемого сырья | |
| Фракционный состав, мкм | 100-400 |
| Содержание примесей, ppm | 200 |
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Модернизация теплового узла установки по выращиванию монокристаллов сапфира методом Киропулоса
Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг. Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
-
Установка очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов типа БЗП
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной
-
Фтороводородная кислота
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).