Установка обогащения кварцевых концентратов
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %.
Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
Принцип работы установки основывается на обработке кварцевой крупки парами кремнефтористой кислоты H2SiF6, поступающей из испарителя (реактора с нагревателями) и последующим осаждением паров и кристаллизации чистой фракции SiO2 на холодной поверхности.
| Размеры | |
| Ширина, мм | 2260 |
| Глубина, мм | 1600 |
| Высота, мм | 2400 |
| Максимальная занимаемая площадь (в том числе зона обслуживания), м2 | 4 |
| Электрические параметры | |
| Максимальная потребляемая мощность, кВА | 5 |
| Номинальное напряжение питающей сети, В | 380 |
| Номинальная частота, Гц | 50(60) |
| Число фаз линии электропередач | 2 |
| Максимальное напряжение на нагревателе, В | 20 |
| Максимальный допустимый ток на нагревателе, А | 250 |
|
Параметры получаемого кварца |
|
| Чистота получаемой кварцевой крупки, ppm | 5 |
| Размеры получаемой кварцевой крупки, мкм | 1-5 |
| Производительность установки, кг/сутки | 10 |
| Параметры загружаемого сырья | |
| Фракционный состав, мкм | 100-400 |
| Содержание примесей, ppm | 200 |
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Диоксид кремния (кварц)
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.
-
Поликристаллический порошок карбида кремния
Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
-
Системы управления для гранульной металлургии
Из металлических гранул методом 3D печати или же газостатического прессования получают детали для нужд медицины (импланты, медицинскую проволоку, хирургические инструменты), для авиации (диски, валы, корпуса, изделия сложной формы.)