Установка обогащения кварцевых концентратов

Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %.
Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.

Принцип работы установки основывается на обработке кварцевой крупки парами кремнефтористой кислоты H2SiF6, поступающей из испарителя (реактора с нагревателями) и последующим осаждением паров и кристаллизации чистой фракции SiO2 на холодной поверхности.

Размеры
Ширина, мм 2260
Глубина, мм 1600
Высота, мм 2400
Максимальная занимаемая площадь (в том числе зона обслуживания), м2 4

 

Электрические параметры
Максимальная потребляемая мощность, кВА 5
Номинальное напряжение питающей сети, В 380
Номинальная частота, Гц 50(60)
Число фаз линии электропередач 2
Максимальное напряжение на нагревателе, В 20
Максимальный допустимый ток на нагревателе, А 250

 

Параметры получаемого кварца

Чистота получаемой кварцевой крупки, ppm 5
Размеры получаемой кварцевой крупки, мкм 1-5
Производительность установки, кг/сутки 10

 

Параметры загружаемого сырья
Фракционный состав, мкм 100-400
Содержание примесей, ppm 200

Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"