Установка для роста монокристаллов карбида кремния диаметром 4 или 6 дюймов
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного пара на монокристалл-затравку.
| Размеры | |
| Ширина, мм | 1800 |
| Глубина, мм | 1540 |
| Высота, мм | 2740 |
| Максимальная занимаемая площадь (в том числе зона обслуживания), м2 | 9 |
|
Электрические параметры |
4” |
6” |
| Максимальная мощность источника питания, кВА |
80 |
|
| Номинальное напряжение питающей сети, В |
380 |
|
| Номинальная частота, Гц |
50(60) |
|
| Число фаз линии электропередач |
3 |
|
| Потребляемая мощность при росте кристалла, кВт |
36 |
52 |
| Точность стабилизации мощности в цепи нагрева, % |
0,1 |
|
| Метод нагрева |
Резистивный |
|
| Физические и механические параметры | |
| Максимальная рабочая температура горячей зоны, °С | 2350 |
| Точность поддержания температуры горячей зоны, °С | ± 1 |
| Предельное остаточное давление «холодной» установки, Па | 2∙10-3 |
| Максимальная скорость потока легирующего газа (N2), л/ч | 0,9 |
| Максимальная скорость потока инертного газа (Ar), л/ч | 9 (360) |
| Погрешность регулирования расхода газа, % | 0,1 |
| Диапазон рабочих скоростей тигля во время роста, мм/ч | 0,3 — 30 |
| Скорость вращения тигля, об/мин | 1-4 |
| Расход охлаждающей воды при номинальной температуре печи, м3/ч | 6 |
Карбид кремния является одним из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно-стойкой, силовой и быстродействующей электроники, так как обладает уникальными физическими и электронными свойствами. К этим свойствам относятся: широкая запрещенная зона (примерно в три раза больше, чем у кремния), высокое критическое поле лавинного пробоя (приблизительно в 10 раз больше, чем у кремния), высокая насыщенная скорость дрейфа электронов (в 2,5 раза больше, чем в кремнии и арсениде галлия), высокая термическая стабильность, химическая инертность и т.д.
|
Параметры получаемых кристаллов и пластин |
|
| Политип |
4H, 6H |
| Политипная однородность, % |
100 |
| Диаметр, мм |
100-150 |
| Толщина в центральной точке, мм |
18 — 25 |
| Тип проводимости |
n |
| Легирующая примесь |
азот (N2) |
| Удельное сопротивление, Ом∙м |
0.0001 – 0.01 |
| Плотность микропор, см-2 |
≤ 5 |
| Плотность дислокаций, см-2 |
≤ 4∙103 |
Примеры получаемых кристаллов и пластин
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Модернизация теплового узла установки по выращиванию монокристаллов сапфира методом Киропулоса
Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг. Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
-
Фтороводородная кислота
Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).
-
Установка для роста монокристаллов карбида кремния диаметром 4 или 6 дюймов
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного