Установка для роста монокристаллов карбида кремния диаметром 4 или 6 дюймов
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного пара на монокристалл-затравку.
| Размеры | |
| Ширина, мм | 1800 |
| Глубина, мм | 1540 |
| Высота, мм | 2740 |
| Максимальная занимаемая площадь (в том числе зона обслуживания), м2 | 9 |
|
Электрические параметры |
4” |
6” |
| Максимальная мощность источника питания, кВА |
80 |
|
| Номинальное напряжение питающей сети, В |
380 |
|
| Номинальная частота, Гц |
50(60) |
|
| Число фаз линии электропередач |
3 |
|
| Потребляемая мощность при росте кристалла, кВт |
36 |
52 |
| Точность стабилизации мощности в цепи нагрева, % |
0,1 |
|
| Метод нагрева |
Резистивный |
|
| Физические и механические параметры | |
| Максимальная рабочая температура горячей зоны, °С | 2350 |
| Точность поддержания температуры горячей зоны, °С | ± 1 |
| Предельное остаточное давление «холодной» установки, Па | 2∙10-3 |
| Максимальная скорость потока легирующего газа (N2), л/ч | 0,9 |
| Максимальная скорость потока инертного газа (Ar), л/ч | 9 (360) |
| Погрешность регулирования расхода газа, % | 0,1 |
| Диапазон рабочих скоростей тигля во время роста, мм/ч | 0,3 — 30 |
| Скорость вращения тигля, об/мин | 1-4 |
| Расход охлаждающей воды при номинальной температуре печи, м3/ч | 6 |
Карбид кремния является одним из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно-стойкой, силовой и быстродействующей электроники, так как обладает уникальными физическими и электронными свойствами. К этим свойствам относятся: широкая запрещенная зона (примерно в три раза больше, чем у кремния), высокое критическое поле лавинного пробоя (приблизительно в 10 раз больше, чем у кремния), высокая насыщенная скорость дрейфа электронов (в 2,5 раза больше, чем в кремнии и арсениде галлия), высокая термическая стабильность, химическая инертность и т.д.
|
Параметры получаемых кристаллов и пластин |
|
| Политип |
4H, 6H |
| Политипная однородность, % |
100 |
| Диаметр, мм |
100-150 |
| Толщина в центральной точке, мм |
18 — 25 |
| Тип проводимости |
n |
| Легирующая примесь |
азот (N2) |
| Удельное сопротивление, Ом∙м |
0.0001 – 0.01 |
| Плотность микропор, см-2 |
≤ 5 |
| Плотность дислокаций, см-2 |
≤ 4∙103 |
Примеры получаемых кристаллов и пластин
Другое оборудование и системы управления НПК "СПЕКТР"
-
Системы управления для гранульной металлургии
Из металлических гранул методом 3D печати или же газостатического прессования получают детали для нужд медицины (импланты, медицинскую проволоку, хирургические инструменты), для авиации (диски, валы, корпуса, изделия сложной формы.)
-
Модернизация теплового узла установки по выращиванию монокристаллов сапфира методом Киропулоса
Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг. Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
-
Диоксид кремния (кварц)
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.