Применятся для травления материалов полупроводниковой промышленности (кремниевых и кварцевых подложек).
Используется для синтеза высокочистого поликристаллического карбида кремния в электронной и электротехнической промышленности.
Высококачественное сырье для синтеза монокристаллов карбида кремния модификаций 4H-SIC и 6H-SIC, применяемых в электронных приборах.
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов. Сублимационный метод основывается на конденсации пересыщенного пара на монокристалл-затравку.
Установка предназначена для очистки и получения монокристаллов тугоплавких металлов молибдена (Мо), ниобия (Nb), вольфрама (W), тантала (Та) и сплавов на их основе в виде цилиндрических прутков методом бестигельной зонной плавки.
В течение последних десятилетий для выращивания монокристаллов сапфира в основном применяют три метода: горизонтальная направленная кристаллизация (ГНК), Киропулоса и Степанова. Все методы основаны на выращивании кристаллов из расплавов.
Актуально для установок, масса кристалла которых более 60 кг.
Основная модернизация сводится к применению нагревателя нового типа.
Установка предназначена для получения высокочистой фракции диоксида кремния SiO2 чистотой до 99,9995 %.
Высокочистый кварц используется для получения материалов и изделий для микроэлектронной промышленности.
Из металлических гранул методом 3D печати или же газостатического прессования получают детали для нужд медицины (импланты, медицинскую проволоку, хирургические инструменты), для авиации (диски, валы, корпуса, изделия сложной формы.)
Эффективное управление производством начинается на уровне цеха. Оптимизировать цеховое производство помогают специализированные системы автоматизации инженерной деятельности.